SI4431DY-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:43mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備30V漏源電壓（VDSS）和5.8A連續漏極電流（ID）的電氣特性，導通狀態下的源漏電阻（RDON）僅為43毫歐，有助于降低功率損耗。器件采用P溝道結構，適用于各類中低功率開關與電源管理電路。其高可靠性與快速響應能力，可滿足多種電子設備對電壓控制、負載切換及功率調節的需求，廣泛應用于便攜式電子產品、智能家居設備及通信模塊等場景。
