IPD80P03P4L07ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管（MOSFET），具備較高的電流承載能力和優良的導通特性。其最大漏極電流ID可達70A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON典型值為8mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。適用于高效率開關電源、DC-DC轉換器、電池供電設備及負載開關等應用場景，滿足對功率控制穩定性和可靠性較高的需求。器件采用標準封裝設計，便于散熱與PCB布局，支持多并聯使用，為各類中高功率電子系統提供高效、可靠的核心支持。
