SQ2398ES-T1_BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:220mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS）和2A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為220mΩ，適用于需要高效開關和低導通損耗的電路設計。其較高的耐壓能力和穩定的電流承載性能，使其可應用于電源管理、直流變換器、負載開關以及各類嵌入式電子設備中，滿足多種基礎電力電子變換需求。
