SI7129DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS）和32A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至10毫歐，可支持高效功率傳輸。采用P溝道結(jié)構(gòu)，適用于各類中高功率電源管理場(chǎng)景，如直流電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)等。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持可靠性能，適合用于對(duì)效率與空間布局均有要求的電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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