HAON7401_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流ID:32A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:10mR 參數(shù)4:溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備30V漏源電壓(VDSS)和32A連續(xù)漏極電流(ID)能力,導(dǎo)通電阻(RDON)僅為10毫歐,有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用P溝道設(shè)計(jì),適用于多種電源管理應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路及高性能負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路。其低導(dǎo)通電阻與良好熱穩(wěn)定性相結(jié)合,可滿足對(duì)空間、效率及可靠性有較高要求的電路設(shè)計(jì)方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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