HAON7401_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具備30V漏源電壓（VDSS）和32A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為10毫歐，有助于降低導通損耗并提升系統效率。器件采用P溝道設計，適用于多種電源管理應用，如DC-DC轉換器、電源開關、電池保護電路及高性能負載驅動電路。其低導通電阻與良好熱穩定性相結合，可滿足對空間、效率及可靠性有較高要求的電路設計方案。
