SI7617DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:32A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:10mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款P溝道場效應管(MOSFET)的主要參數包括:漏極電流ID為32A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至10mΩ。該器件具備較高的電流承載能力和較低的導通損耗,適用于多種功率開關和控制場景。其P溝道結構適合用于電源側開關或負載切換應用,可有效提升系統效率與穩定性。典型應用場景包括便攜式電源設備、消費類電子產品中的DC-DC轉換模塊、電池充放電管理電路以及各類中功率開關控制單元。
