RQ5E035ATTCL-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4.2A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:45mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管(MOSFET)具備30V的漏源擊穿電壓(VDSS)和4.2A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)僅為45mΩ,有助于降低導通損耗并提升整體效率。該器件適用于中低功率電源管理系統,如便攜式電子設備、智能家居控制模塊及小型電源適配器等應用場景。其優異的電氣性能與穩定的開關表現,使其成為各類消費類電子產品中理想的場控開關元件,滿足高效、低發熱與高可靠性的設計需求。
