IPC100N04S52R8ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高性能與低導(dǎo)通損耗特點，適用于多種電源管理及功率轉(zhuǎn)換場景。主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON僅為2.8mΩ，有效提升系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具備良好的耐壓能力與開關(guān)特性，適用于高密度DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電池管理系統(tǒng)以及各類中高功率電子裝置的設(shè)計應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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