IPC100N04S52R8ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能與低導通損耗特點，適用于多種電源管理及功率轉換場景。主要參數包括：最大漏極電流ID為130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON僅為2.8mΩ，有效提升系統效率并減少發熱。器件結構優化，具備良好的耐壓能力與開關特性，適用于高密度DC-DC轉換器、同步整流電路、電池管理系統以及各類中高功率電子裝置的設計應用。
