SQD100N02_3M5L4GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON低至3.5mΩ。該器件適用于高效率、高功率密度的開關電源、同步整流、DC-DC轉換以及負載管理等應用場景，具備良好的熱穩定性和快速開關特性，能夠滿足高頻電路對性能的嚴苛要求。
