IPC100N04S5L-2R6-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:130A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:2.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)采用先進工藝制造,具備低導通電阻與高電流承載能力,適用于多種高效能電源管理場景。其主要參數包括:最大漏極電流ID為130A,漏源擊穿電壓VDSS為40V,導通電阻RDON僅為2.8mΩ,有助于降低導通損耗并提升整體系統效率。器件具有良好的熱穩定性和耐用性,適合應用于高性能DC-DC轉換器、儲能系統、智能電源分配單元及高密度電子設備中,為電路提供可靠開關控制。
