IPC100N04S5L-2R6-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）采用先進工藝制造，具備低導通電阻與高電流承載能力，適用于多種高效能電源管理場景。其主要參數包括：最大漏極電流ID為130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON僅為2.8mΩ，有助于降低導通損耗并提升整體系統效率。器件具有良好的熱穩定性和耐用性，適合應用于高性能DC-DC轉換器、儲能系統、智能電源分配單元及高密度電子設備中，為電路提供可靠開關控制。
