IPC100N04S5L-2R6-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）采用先進(jìn)工藝制造，具備低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于多種高效能電源管理場景。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON僅為2.8mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升整體系統(tǒng)效率。器件具有良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合應(yīng)用于高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、儲能系統(tǒng)、智能電源分配單元及高密度電子設(shè)備中，為電路提供可靠開關(guān)控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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