IPC100N04S5-2R8-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優(yōu)異的導通性能與高效率，適用于多種高性能電源管理系統(tǒng)。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為130A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至2.8mΩ，可有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于如高效直流變換器、電池管理系統(tǒng)、智能電網(wǎng)設備及高密度電源模塊等多種應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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