2SK3377-ZK-E1-AY-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET），具有20A連續(xù)漏極電流（ID）和60V漏源耐壓（VDSS），適用于多種中高功率應(yīng)用場景。導(dǎo)通電阻（RDON）低至27mΩ，可有效減少導(dǎo)通損耗，提高整體效率。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、開關(guān)電路及各類電子設(shè)備中的功率控制部分。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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