IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備較高的電流承載能力，漏極電流ID可達130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至2.8mΩ。該器件適用于對功率傳輸效率和熱性能有較高要求的電路設計，可應用于高效電源轉換、大功率負載驅動、電池管理系統以及各類高密度電力電子設備中。其低導通電阻有助于減少能量損耗，提升整體系統穩定性與可靠性。
