IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:130A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:2.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備較高的電流承載能力,漏極電流ID可達130A,漏源擊穿電壓VDSS為40V,導通電阻RDON低至2.8mΩ。該器件適用于對功率傳輸效率和熱性能有較高要求的電路設計,可應用于高效電源轉換、大功率負載驅動、電池管理系統以及各類高密度電力電子設備中。其低導通電阻有助于減少能量損耗,提升整體系統穩定性與可靠性。
