IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備較高的電流承載能力，漏極電流ID可達(dá)130A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON低至2.8mΩ。該器件適用于對(duì)功率傳輸效率和熱性能有較高要求的電路設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、大功率負(fù)載驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)以及各類(lèi)高密度電力電子設(shè)備中。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗，提升整體系統(tǒng)穩(wěn)定性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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