FDD5612-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備20A的連續漏極電流(ID)和60V的漏源擊穿電壓(VDSS),導通電阻(RDON)僅為27毫歐,展現出優異的導電性能與較低的功率損耗。器件適用于多種中高功率應用場景,如電源適配器、充電設備、直流變換器及智能家電中的開關電路設計,為系統提供高效、穩定的電流控制能力。
