SQD15N06-42L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至27毫歐，適用于高效能電源管理與轉換場景。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和開關特性，適合用于直流電機控制、功率開關電路以及電池供電設備中的能量調節模塊。
