SQD15N06-42L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:27mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)和20A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)低至27毫歐,適用于高效能電源管理與轉換場景。器件采用成熟工藝制造,具備良好的熱穩定性和開關特性,適合用于直流電機控制、功率開關電路以及電池供電設備中的能量調節模塊。
