PXN017-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)主要參數如下:漏極電流ID可達20A,漏源電壓VDSS為30V,導通電阻RDON典型值為15mΩ。該器件適用于各類電源轉換電路、高效能同步整流系統、電機驅動模塊以及便攜式高功率電子設備。其低導通電阻和優異的開關特性有助于降低能量損耗,提高電路運行效率。同時具備良好的熱穩定性和耐壓能力,適合用于對可靠性與性能有一定要求的中高功率場景。
