SI2393DS-T1-GE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管(MOSFET),主要參數包括:最大漏極電流(ID)為10A,漏源電壓(VDSS)為30V,導通電阻(RDON)低至14mΩ,柵源電壓(VGS)為±20V。該器件適用于需要高效功率管理的場景,可廣泛用于電源轉換、負載開關、電池保護及便攜式設備等電路設計中,具備良好的熱穩定性和快速響應能力,能夠滿足高密度功率系統對性能與可靠性的基礎要求。
