SI2393DS-T1-GE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），主要參數包括：最大漏極電流（ID）為10A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDON）低至14mΩ，柵源電壓（VGS）為±20V。該器件適用于需要高效功率管理的場景，可廣泛用于電源轉換、負載開關、電池保護及便攜式設備等電路設計中，具備良好的熱穩定性和快速響應能力，能夠滿足高密度功率系統對性能與可靠性的基礎要求。
