SI2369BDS-T1-GE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管(MOSFET),主要參數包括:最大漏極電流ID為10A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON典型值為14mΩ,柵源電壓VGS范圍為±20V。該器件具有低導通損耗和高開關效率,適用于各類功率轉換電路,如DC-DC電源模塊、電池管理系統、負載開關控制及小型化電子設備中的功率管理單元,可為系統提供穩定的性能支持。
