SI2369BDS-T1-GE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道增強型場效應管（MOSFET），主要參數包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON典型值為14mΩ，柵源電壓VGS范圍為±20V。該器件具有低導通損耗和高開關效率，適用于各類功率轉換電路，如DC-DC電源模塊、電池管理系統、負載開關控制及小型化電子設備中的功率管理單元，可為系統提供穩定的性能支持。
