IPD85P04P4L06ATMA2-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下關(guān)鍵參數(shù)：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON低至7.3毫歐，具備高電流承載能力和較低的導(dǎo)通損耗。該器件適用于多種功率控制與電源管理應(yīng)用，如直流電源轉(zhuǎn)換、電池供電系統(tǒng)中的開關(guān)電路、負(fù)載驅(qū)動模塊以及對能效和穩(wěn)定性要求較高的電子設(shè)備中，可有效提升系統(tǒng)整體工作效率并降低發(fā)熱損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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