IPD85P04P4L06ATMA2-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有以下關鍵參數：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至7.3毫歐，具備高電流承載能力和較低的導通損耗。該器件適用于多種功率控制與電源管理應用，如直流電源轉換、電池供電系統中的開關電路、負載驅動模塊以及對能效和穩定性要求較高的電子設備中，可有效提升系統整體工作效率并降低發熱損耗。
