SI2369DS-T1-BE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:14mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管(MOSFET),具備10A的最大漏極電流ID和30V的漏源電壓VDSS,適用于中等功率應用場景。導通電阻RDON為14mΩ,能夠在導通狀態下有效降低功耗,提高整體效率。器件支持最高20V的柵源電壓VGS,確保穩定工作條件下具備良好的開關性能。采用成熟工藝制造,具有優異的熱穩定性和可靠性,廣泛適用于電源管理模塊、便攜式電子設備、電池供電系統及其他對能效與空間布局有要求的電子產品中。
