SI2369DS-T1-BE3-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具備10A的最大漏極電流ID和30V的漏源電壓VDSS，適用于中等功率應用場景。導通電阻RDON為14mΩ，能夠在導通狀態下有效降低功耗，提高整體效率。器件支持最高20V的柵源電壓VGS，確保穩定工作條件下具備良好的開關性能。采用成熟工藝制造，具有優異的熱穩定性和可靠性，廣泛適用于電源管理模塊、便攜式電子設備、電池供電系統及其他對能效與空間布局有要求的電子產品中。
