PMV20XNEAR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:7A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)主要參數如下:最大漏極電流ID為7A,漏源擊穿電壓VDSS為20V,導通電阻RDON為15mΩ。該器件具備快速開關響應和良好的熱穩定性,適用于多種中低功率應用場景。其較低的導通電阻有助于提升效率并減少發熱。此類MOSFET可應用于便攜式電子設備、電池供電系統、DC-DC轉換器及各類小型化電路設計中,滿足高效能與高集成度的需求。
