SQD90P04-9M4L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具有較高的電流承載能力，最大漏極電流ID可達80A，漏源電壓VDSS為40V，適用于中高功率應用場景。導通電阻RDON低至7.3mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于各類電源管理、負載開關、電池供電設備以及消費類電子產品中的高效能需求場合。
