SQD90P04-9M4L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:7.3mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管(MOSFET),具有較高的電流承載能力,最大漏極電流ID可達80A,漏源電壓VDSS為40V,適用于中高功率應用場景。導通電阻RDON低至7.3mΩ,有助于降低導通損耗,提高系統效率。該器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和可靠性,適用于各類電源管理、負載開關、電池供電設備以及消費類電子產品中的高效能需求場合。
