DMTH6016LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為40A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至12mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的場合，能夠提供良好的導通性能和快速開關特性。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提高系統效率。此MOSFET可廣泛用于電源管理、負載開關、適配器及各類高密度電子設備中，滿足多樣化電路設計需求。
