DMTH6016LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:40A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:12mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有以下主要參數:最大漏極電流ID為40A,漏源擊穿電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至12mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的場合,能夠提供良好的導通性能和快速開關特性。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提高系統效率。此MOSFET可廣泛用于電源管理、負載開關、適配器及各類高密度電子設備中,滿足多樣化電路設計需求。
