IPD160N04LG-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:18mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有良好的導通特性和高頻響應能力。其主要參數包括：漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至18mΩ，有助于降低導通損耗并提高系統效率。適用于電源管理、開關電路、負載控制及直流電機驅動等場景，支持高密度和高效能的電路設計需求，是一款性能穩定、適用范圍廣泛的功率器件。
