IPD50N04S410ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:7.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管(MOSFET),適用于高效率、高密度電源轉換系統。其主要參數包括:漏極電流ID為60A,漏源電壓VDSS為40V,導通電阻RDON低至7.7mΩ,可有效降低導通損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造,具備優良的熱穩定性和可靠性,適用于各類高性能開關電源、同步整流、電池管理及負載開關等應用場景。
