IPD50N04S3-09-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備高電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能。器件最大漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON低至7.7mΩ，可有效提升系統(tǒng)效率并減少功率損耗。采用成熟穩(wěn)定的制造工藝，具有良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適用于各類高頻開關(guān)電源、同步整流模塊、電池管理系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子設(shè)備中的高效功率控制電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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