IPD50N04S4-08-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通能力和穩定性能，適用于多種中高功率電子系統。其主要參數包括：最大漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至7.7mΩ，有效降低導通損耗并提升整體效率。器件采用優化設計，具備良好的熱管理特性與耐用性，適用于電源轉換器、儲能系統、負載開關及高性能計算設備中的功率控制單元，滿足對能效和可靠性有較高要求的應用場景。
