IPD50N04S4-08-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:7.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有優異的導通能力和穩定性能,適用于多種中高功率電子系統。其主要參數包括:最大漏極電流ID為60A,漏源電壓VDSS為40V,導通電阻RDON低至7.7mΩ,有效降低導通損耗并提升整體效率。器件采用優化設計,具備良好的熱管理特性與耐用性,適用于電源轉換器、儲能系統、負載開關及高性能計算設備中的功率控制單元,滿足對能效和可靠性有較高要求的應用場景。
