NVTR4503NT1G-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:86mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流（ID）為2A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDON）低至86mΩ。該器件適用于需要高效開關(guān)和功率控制的多種場景，例如電源管理、電池供電設(shè)備以及小型電子系統(tǒng)中的直流電機(jī)或負(fù)載驅(qū)動電路。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗并提升整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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