DMN2320UFB4-7B-HXY_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流ID:0.7A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:220mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：最大漏極電流（ID）為0.7A，漏源擊穿電壓（VDSS）為20V，導通電阻（RDON）為220mΩ。該器件適用于各類中低功率電子設備中的開關與控制電路，如便攜式電子產品、小型電源模塊、LED驅動電路以及各類電池供電的智能設備。其參數設計有助于實現穩定的開關性能與較高的能效表現，適合對空間和功耗有要求的電路應用。
