DMN2320UFB4-7B-HXY_DFN1006-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:220mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：最大漏極電流（ID）為0.7A，漏源擊穿電壓（VDSS）為20V，導(dǎo)通電阻（RDON）為220mΩ。該器件適用于各類中低功率電子設(shè)備中的開關(guān)與控制電路，如便攜式電子產(chǎn)品、小型電源模塊、LED驅(qū)動電路以及各類電池供電的智能設(shè)備。其參數(shù)設(shè)計有助于實現(xiàn)穩(wěn)定的開關(guān)性能與較高的能效表現(xiàn)，適合對空間和功耗有要求的電路應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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