DMN2320UFB4-7B-HXY_DFN1006-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN1006-3L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:10000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:0.7A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:220mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)主要參數(shù)如下:最大漏極電流(ID)為0.7A,漏源擊穿電壓(VDSS)為20V,導(dǎo)通電阻(RDON)為220mΩ。該器件適用于各類中低功率電子設(shè)備中的開關(guān)與控制電路,如便攜式電子產(chǎn)品、小型電源模塊、LED驅(qū)動電路以及各類電池供電的智能設(shè)備。其參數(shù)設(shè)計有助于實現(xiàn)穩(wěn)定的開關(guān)性能與較高的能效表現(xiàn),適合對空間和功耗有要求的電路應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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