MVGSF1N03LT1G-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:86mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和2A的額定漏極電流（ID），適用于中低功率電路設計。導通電阻（RDON）為86毫歐，能夠在較低電流條件下實現較為理想的導通性能，減少能量損耗。該器件常用于便攜式電子設備、小型電源模塊、信號切換電路以及各類智能控制板卡中，為系統提供可靠的開關控制與穩定的電氣表現。
