KMA3D0N20SA-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:37mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于中低功率電源管理系統。其主要參數包括：漏極電流ID為2.8A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為37mΩ，具備良好的導通性能與開關響應。該器件適合用于小型化電源轉換器、便攜式電子設備的功率控制模塊、電池供電系統中的負載開關等應用場景。在低電壓工作環境下，該MOSFET表現出穩定的電氣性能和較高的能效，滿足對空間和功耗有要求的電路設計需求。
