KMA3D0N20SA-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:37mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），適用于中低功率電源管理系統(tǒng)。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為2.8A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON為37mΩ，具備良好的導(dǎo)通性能與開關(guān)響應(yīng)。該器件適合用于小型化電源轉(zhuǎn)換器、便攜式電子設(shè)備的功率控制模塊、電池供電系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場景。在低電壓工作環(huán)境下，該MOSFET表現(xiàn)出穩(wěn)定的電氣性能和較高的能效，滿足對空間和功耗有要求的電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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