IPT015N10NF2SATMA1-HXY_TOLL_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流ID:350A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備優異的電學性能和良好的熱穩定性，主要參數包括：最大漏極電流ID為350A，漏源電壓VDSS為100V，導通電阻RDON低至1.4mΩ。器件采用先進封裝與制造工藝，能夠在高頻率、大功率條件下實現高效導通與低損耗運行。適用于高性能電源轉換系統、儲能設備、智能電網裝置及計算硬件等應用場景，滿足復雜電路中對電流控制與能效優化的高要求。
