AOTL66912_TOLL_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流ID:350A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高電流承載能力和優異的導通性能，主要參數包括：最大漏極電流ID為350A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導通電阻RDON低至1.4mΩ。器件設計采用成熟工藝，確保在高負載條件下仍具有良好的穩定性和耐久性。適用于高效電源變換裝置、儲能管理系統、智能電力設備及高性能計算平臺等場景，滿足對電能轉換效率與系統可靠性有較高要求的應用需求。
