NVMFD5873NLT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為NN溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有35A的連續(xù)漏極電流（ID）與60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種中高功率應(yīng)用場合。導(dǎo)通電阻（RDON）為11mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。采用雙溝道結(jié)構(gòu)設(shè)計，具備良好的集成性與穩(wěn)定性，適合用于電源管理、開關(guān)電路、電機驅(qū)動及同步整流等場景，在各類高效能電子設(shè)備中可實現(xiàn)可靠的功率控制與轉(zhuǎn)換功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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