NVMFD5873NLT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NN溝道場效應管（MOSFET），具有35A的連續漏極電流（ID）與60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種中高功率應用場合。導通電阻（RDON）為11mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體效率。采用雙溝道結構設計，具備良好的集成性與穩定性，適合用于電源管理、開關電路、電機驅動及同步整流等場景，在各類高效能電子設備中可實現可靠的功率控制與轉換功能。
