DMT2005UDV-7-HXY_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為NN溝道場效應管（MOSFET），具備30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中等功率應用場景。導通電阻（RDON）低至5mΩ，可顯著降低導通損耗，提升系統能效。采用雙溝道結構設計，集成度高，在電源管理、負載開關、電機控制及同步整流等應用中表現出優異的電氣性能與穩定性，適合用于各類高效電子設備中的功率轉換與控制電路。
