NVMFD5C466NWFT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.9mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結構，具備良好的導通特性和高效率表現。其漏極電流ID為40A，漏源電壓VDSS為40V，適用于多種中高功率電路應用需求。導通電阻RDON低至6.9mΩ，有助于減少能量損耗并提升整體系統性能。該器件可廣泛應用于電源轉換、開關控制及負載調節等電子電路中，提供穩定可靠的運行表現。
