DMN2005UPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20V漏源耐壓（VDSS），可持續(xù)通過60A漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為3.5毫歐。該器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換與管理領(lǐng)域，如同步整流、電池充放電控制及高性能DC-DC轉(zhuǎn)換電路，具備快速開關(guān)響應(yīng)和低損耗特性，可滿足多樣化電子設(shè)備對功率密度與能效的嚴苛需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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