SI4435DDY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:11A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:13mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有30V的漏源耐壓(VDSS),支持連續(xù)漏極電流達(dá)11A(ID),導(dǎo)通電阻低至13毫歐(RDON),可有效減少導(dǎo)通損耗并提升效率。器件采用高可靠性工藝制造,具備優(yōu)良的開關(guān)性能與熱穩(wěn)定性,適用于電源管理系統(tǒng)、便攜式電子設(shè)備、通信模塊及計算平臺中的DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電池保護(hù)電路等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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