PMV50XP215-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本P溝道場效應管（MOSFET）具有20V漏源電壓（VDSS）和4.2A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）為48毫歐，具備良好的導通性能與較低的功率損耗。適用于各類中低功率開關電路，在電源管理、電池供電設備、直流電機驅動及便攜式電子產品中表現穩定。其封裝形式便于安裝與散熱，能滿足高效能、小型化電路設計對空間與性能的雙重需求。
