PMV50XP215-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20V漏源電壓（VDSS）和4.2A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）為48毫歐，具備良好的導(dǎo)通性能與較低的功率損耗。適用于各類中低功率開關(guān)電路，在電源管理、電池供電設(shè)備、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)及便攜式電子產(chǎn)品中表現(xiàn)穩(wěn)定。其封裝形式便于安裝與散熱，能滿足高效能、小型化電路設(shè)計(jì)對(duì)空間與性能的雙重需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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