SI2377EDS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備4.2A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）為48毫歐，適用于中低功率開關電路。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件可廣泛應用于電源轉換、電池管理、直流負載控制等領域，適合嵌入于通信模塊、家用電器及小型電子設備中，滿足高效、緊湊型電路設計的需求。
