PMV50XPAR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有20V的漏源耐壓（VDSS），支持連續漏極電流達4.2A（ID），導通電阻僅為48毫歐（RDON），可實現高效功率傳輸。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和開關特性，適用于電源管理、便攜設備、通信模塊及高性能計算設備中的DC-DC轉換器、負載開關和電機驅動電路等場景，為系統提供可靠的能量控制與優化表現。
