BSZ120P03NS3GATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有30V漏源擊穿電壓（VDSS）和35A額定漏極電流（ID），適用于中高功率電源管理應(yīng)用。導(dǎo)通狀態(tài)下，其典型導(dǎo)通電阻（RDON）為13mΩ，能夠在保證性能的同時(shí)有效控制導(dǎo)通損耗。該器件采用穩(wěn)定可靠的制造工藝，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適用于各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換裝置、負(fù)載開(kāi)關(guān)電路及電池供電系統(tǒng)中的功率控制與調(diào)節(jié)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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