BSZ120P03NS3GATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具有30V漏源擊穿電壓（VDSS）和35A額定漏極電流（ID），適用于中高功率電源管理應用。導通狀態下，其典型導通電阻（RDON）為13mΩ，能夠在保證性能的同時有效控制導通損耗。該器件采用穩定可靠的制造工藝，具備良好的熱穩定性和耐用性，適用于各類電源轉換裝置、負載開關電路及電池供電系統中的功率控制與調節應用。
