IPD60N10S4L12ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:13.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）在電源管理和功率控制領(lǐng)域表現(xiàn)出色。其漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為100V，導通電阻RDON為13.5mΩ，具備良好的導電能力和熱穩(wěn)定性，適合中高功率應(yīng)用場景。該器件適用于開關(guān)電源、同步整流電路、電池保護模塊及各類高效能電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與調(diào)節(jié)單元，為系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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