STD70N10F4-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:13.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)良的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性，適用于多種電源管理及功率轉(zhuǎn)換場景。器件漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS達(dá)100V，導(dǎo)通電阻RDON為13.5mΩ，能夠在較高頻率與中等電流環(huán)境下實現(xiàn)較低損耗與良好熱表現(xiàn)。基于其可靠性能和成熟工藝，該MOSFET適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動電路及儲能系統(tǒng)中的功率控制單元，為多樣化電子應(yīng)用提供高效、穩(wěn)定的元件支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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