IRFR3710ZTRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:13.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有以下主要參數:漏極電流ID為60A,漏源擊穿電壓VDSS為100V,導通電阻RDON為13.5mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的電路設計,能夠在較高頻率下穩定工作,適合用于電源轉換、電機驅動以及各類電子設備中的開關應用。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗,提高系統整體效率。
