RS1E220ATTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和90A的額定漏極電流（ID），適用于較高功率的電源管理場景。導(dǎo)通狀態(tài)下，其典型導(dǎo)通電阻（RDON）低至3.5mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于各類電源轉(zhuǎn)換設(shè)備、負(fù)載開關(guān)電路以及電池供電系統(tǒng)中的控制與驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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