RS1E220ATTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和90A的額定漏極電流（ID），適用于較高功率的電源管理場景。導通狀態下，其典型導通電阻（RDON）低至3.5mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于各類電源轉換設備、負載開關電路以及電池供電系統中的控制與驅動應用。
