DMP34M4SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:110A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具備30V漏源耐壓（VDSS）與110A額定漏極電流（ID），可滿足較高功率密度的設(shè)計需求。導通電阻（RDON）典型值為3mΩ，有效降低導通損耗，提升整體能效表現(xiàn)。該器件適用于各類電源管理系統(tǒng)、開關(guān)控制電路以及電池供電設(shè)備中的功率切換應(yīng)用，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠勝任復雜工況下的持續(xù)運行任務(wù)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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