BSC060P03NS3EGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:70A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:6mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道增強型場效應管(MOSFET)適用于多種高效率電源管理與功率控制電路。其最大漏極電流ID可達70A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至6mΩ,有效降低導通損耗并提升系統整體效率。器件采用先進制造工藝,具備良好的熱穩定性和可靠性,適用于同步整流、DC-DC轉換、電池供電設備及便攜式電子產品中的電源模塊設計,能夠滿足高性能電力電子應用對效率與集成度的需求。
