SM6362D1RL-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備良好的電性能與穩定性，持續漏極電流ID為50A，漏源電壓VDSS達30V，適用于多種中高功率電源管理應用。導通電阻RDON為6.5mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統整體效率。器件采用成熟封裝工藝，具備優良的散熱能力與可靠性，適合用于各類電源轉換電路、負載開關及高效能電子設備中，實現穩定的開關控制與能量傳輸。
