SIR1309DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS），可承受高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至6mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件采用先進(jìn)工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于各類中高功率電源管理系統(tǒng)、直流電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)電路以及電池供電設(shè)備中的功率切換應(yīng)用。其封裝形式便于安裝與散熱，能夠滿足多種高性能電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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